КОНТАКТНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Адрес: б-р Штефан чел Маре, 168, учебный корпус № 1
Тел.: +373 22 23-54-37
E-mail:
Сайт лаборатории: lmoe.utm.md

 

 

I. НАПРАВЛЕНИЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ

  • Технология материалов и структур на основе полупроводниковых соединений A3B5.
  • Технология изготовления и характеристика лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs, InGaAs/InGaAsP/InGaP/GaAs, InGaAsP/InP с эмиссией в спектральном диапазоне 800 -1550 nm.
  • Разработка и изготовление датчиков физического размера и фоторецепторов для спектрального диапазона 0,25 — 1,55 мкм.
  • Разработка и изготовление лазерных модулей в сочетании с волоконной оптикой для приложений в области телекоммуникаций, медицины, метрологии и т. д.
  • Разработка оптоэлектронных систем и устройств для медицины, энергетики, коммуникаций, промышленности.
  • Техническая диагностика электронного и оптоэлектронного оборудования для волоконо-оптических телекоммуникационных систем.

 

II. НОВЫЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, РАЗРАБОТАННЫЕ В МИКРО-ОПТОЭЛЕКТРОННОЙ ЛАБОРАТОРИИ

Коллектив авторов Лаборатории Микро-Оптоэлектроники в составе: унив. проф., док. хаб. В. Дороган, док. тех. наук, конф. Т. Виеру, С. Виеру, В. Секриеру, E. Мунтяну, A. Дороган, Шт. Балика, E. Банарь создал ряд новый изобретений:

  • Квантовый терапевтический прибор
  • Автоматическая система для измерения характеристик лазерных диодов
  • Лазерные диоды
  • Квантовый прибор «Teralaser MF-2»
  • Система оптических эффектов для представления напитков
  • Оптоэлектронный модуль
  • Лабораторная установка для нанесения оксидных металлических пленок методом пиролизного напыления