Servicii de cercetare în domeniul microscopiei electronice

Descriere:Studiul morfologiei suprafetei probelor în baza materialelor solide;
Analiza chimică nedestructivă a materialelor;
Rezolutia la scanare: 50 nm la 30 kV;
Posibilitatea de scanare cu tensiunea de accelerare 500 V- 30 kV.
Responsabili:Conf. cerc., dr., Eduard Monaico,
Dr. Tudor Braniște,
Irina Pleșco,
Vladimir Ciobanu
Centrul Național de Studiu și Testare a Materialelor
Date de contact:Str. Studenților, 9/7, or. Chișinău, Republica Moldova,
e-mail: eduard.monaico@cnstm.utm.md
tel: 022-509-920
fax: 022-509-920

Cercetare în domeniul microscopiei de forță atomică

Descriere:Studiul topografiei suprafetei probelor;
Metodă nedestructiva de studiu;
Posibilitatea de scanare în modurile Contact sau Non-Contact;
Rezolutia de scanare: 5 nm;
Studiul probelor conductoare și izolatoare;
Modelare 3D a suprafeței invesigate
Responsabili:Dr. Tudor Braniște,
Vladimir Ciobanu
Centrul Național de Studiu și Testare a Materialelor
Date de contact:Str. Studenților, 9/7, or. Chișinău, Republica Moldova,
e-mail: tudor.braniste@cnstm.utm.md
tel: 022-509-920
fax: 022-509-920

Fotolitografie și depunerea pelicolelor subțiri

Descriere:Echipamentul din laborator permite elaborarea procesului de transfer fotolitografic al design-ului circuitului/desenului de pe masca fotolitografică pe materialul de studiu.
Instalatia Cylos 160 RIE oferă posibilitatea tratării probelor în plasmă de Ar, O2 sau N2.
Depunerea straturilor subțiri de SiO2 se efectuiază prin metoda PECVD.
Responsabili:Dr. Tudor Braniște,
Vladimir Ciobanu
Centrul Național de Studiu și Testare a Materialelor
Date de contact:Str. Studenților, 9/7,
or. Chișinău, Republica Moldova,
e-mail: tudor.braniste@cnstm.utm.md
tel: 022-509-920
fax: 022-509-920

Nanostructurarea electrochimică și fotoelectrochimică

Descriere:Nanostructurarea electrochimică și fotoelectrochimică în regim potențiostat sau galvanostat a materialelor conductoare și semiconductoare cu posibilitatea controlului temperaturii electrolitului în intervalul -20 ÷ 200 0C cu echipamentul ELYPOR-02.
Tensiunea maximă:   120 V și curentul 200 mA.
Pot fi produse nanotemplate semiconductoare (GaN, InP, GaP, CdSe, ZnSe) și dielectrice (Al2O3) pentru utilizarea lor ulterioară în alte procese nanotehnologice.
Responsabili:Conf. cerc., dr., Eduard Monaico
Centrul Național de Studiu și Testare a Materialelor
Date de contact:Str. Studenților, 9/7, or. Chișinău, Republica Moldova,
e-mail: eduard.monaico@cnstm.utm.md
tel: 022-509-920
fax: 022-509-920

Caracterizarea electrică și fotoelectrică a materialelor în funcție de temperatură

Descriere:Dispozitivele de masurare Keithley 2400 si Keithley 6430 permit înregistrarea curenților de ordinul nA și sub-pA, respectiv.
Excitarea fotocurentului se efectuează utilizând laserul Nd:YAG LP 603. Laserul emite în regim de impuls și oferă posibilitatea schimbării dirijate a lungimii de undă în spectrul vizibil 410-700 nm.
Caracterizarea electrică și fotoelectrică poate fi realizată în intervalul de temperaturi 10-350 K, utilizând criostatul ARS-DE202.
Responsabili:Cerc. șt. Vitalie Postolache,
Dr. Victor Zalamai
Centrul Național de Studiu și Testare a Materialelor
Date de contact:Str. Studenților, 9/7, or. Chișinău, Republica Moldova,
e-mail: vitalie.postolache@cnstm.utm.md
tel: 022-509-920
fax: 022-509-920

Descarcă catalogul ofertelor în format pdf